针对激光频率长期漂移锁定问题,实现了一套以光学频率梳为参考源的数字稳频系统。该系统将被控激光与光学频率梳外差干涉,获取表征激光频率偏移的拍频信号,通过自主研制的数字计数式频率电压转换电路测量拍频电信号的频率,并将频率值转换为误差电压信号,通过主控程序反馈控制被控激光。在对760 nm窄线宽半导体激光器的长期频率稳定实验中,本系统将该激光器频率的长期稳定度提高2个量级,达到4.4×10 ^-10 (τ=262 s),表明本系统可对波长在光学频率频谱范围内的激光实现长期偏频锁定,为进一步激光精细锁频锁相提供基础。

针对可见光和近红外双波段场景分类存在图像标注样本少和特征融合质量低的问题,提出了一种基于卷积神经网络(CNN)特征提取和朴素贝叶斯决策融合的双波段场景分类方法。首先,将基于预训练的CNN模型作为双波段图像的特征提取器,避免标注样本少导致的过拟合问题;然后,通过主成分分析降维和特征归一化方法,提高支持向量机的计算速度和每个波段的分类性能;最后,以双波段后验概率为朴素贝叶斯先验概率,构建了决策融合模型,实现场景融合分类。在公开数据集上的实验结果表明,相比单一波段分类和双波段特征级联融合分类方法,本方法的识别率有明显提升,可达到94.3%;比基于传统特征的最优方法高6.4个百分点,与基于CNN的方法识别率相近,且执行简单高效。

利用自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统，在5.08cm(２英寸)4°偏轴4H-SiC衬底上生长4H-SiC同质外延膜。讨论了4H-SiC同质外延层中的两种扩展缺陷——彗星缺陷和胡萝卜缺陷，研究了这两种缺陷的起源与消除方法。研究发现采用化学机械抛光(CMP)方法可以有效去除扩展缺陷，提高外延膜的质量。另外，提高衬底质量和优化生长条件也可以消除这两种扩展缺陷。

We propose a stable multi-longitudinal Brillouin/semiconductor fiber laser (BSFL) as the upstream source in a bidirectional single-fiber wavelength-division multiplexing-passive optical network (WDM-PON). The downstream wavelength serves as the pump of the BSFL. Brillouin-frequency-shifted (~10.8 GHz) upstream carrier is generated to suppress the Rayleigh backscattering and back re°ection-induced crosstalk. The stable multi-longitudinal operation of the BSFL, attributed to the four-wave mixing (FWM) effect in the semiconductor optical amplifier (SOA) reduces the difficulty of generating a stable single-longitudinal fiber laser-based upstream carrier. Bidirectional symmetric transmission at 10 Gb/s over a 12.5-km single mode fiber with less than 2-dB power penalty is demonstrated.

本文采用阳极氧化法制备了孔径为60-80nm, 孔壁厚约为20-30nm的高有序度TiO2纳米管。将制备的TiO2纳米管经表面酸化后在浓氨水中浸泡, 并于氮气气氛中进行退火处理, 以实现TiO2纳米管的N掺杂。利用SEM、XRD、Raman和XPS对样品的形貌与结构进行了研究。结果显示, 掺N后不会破坏阳极氧化形成的高有序纳度米管阵列, 而且N的引入促进了TiO2纳米管在低温下由锐钛矿相向金红石相的转变。N掺杂样品的XPS中出现了结合能位于399.7 eV的峰, 该峰来源于TiO2的间隙氮杂质, 显示此方法在TiO2纳米管中实现了有效的N的掺杂。

采用微弧氧化技术， 用处理电压为300, 350, 400, 450, 500 V在工业纯钛表面制备了5块氧化膜试样， 利用扫描电镜和拉曼光谱研究了处理电压对氧化膜结构的影响。 结果表明： 氧化膜表面布满了微孔， 其尺寸随处理电压的升高而增加， 而微孔密度则呈相反的变化趋势。 氧化膜主要由锐钛矿和金红石相组成， 其相含量与处理电压的大小密切相关。 当处理电压较低时， 氧化膜主要由锐钛矿相组成; 随着处理电压的升高， 氧化膜中金红石相的相对含量增加; 当处理电压在400～450 V时， 金红石相含量增加迅速， 并成为主晶相。